Dari gambar karakteristik berikut sebenarnya sudah bisa dilihat gambaran umum kondisi breakover dari SCR.
[Credit update:Ini adalah gambar kurva karakteristik elektrik dari SCR yang saya ambil dari dokumen yang dikeluarkan oleh Teccor (sekarang Littelfuse) pada 2002.]
Untuk lebih mempermudah proses mempelajari karakteristik SCR dan cara penggunaannya dalam sistem maka kali ini saya mempergunakan SCR S6010R dari Teccor/Littelfuse. Prinsip ini berlaku pula untuk SCR jenis lain dan dari produsen yang lain.
Sangat beruntung bahwa untuk mencoba kondisi breakover dari SCR kita tidak harus mencobanya pada komponen sesungguhnya, cukup menggunakan simulator LTSPICE.
Kalau diperhatikan percobaan ini hampir sama dengan yang dilakukan untuk melihat Vthreshold dioda [silahkan melihat tulisan sebelumnya].
Tegangan sumber di-step dari -900VDC sampai 900VDC. Hasilnya sebagai berikut:
Kalau diperhatikan hasil simulasi di gambar ini serupa dengan karakteristik statik dari thyristor. Untuk lebih jelasnya, gambar hasil simulasi LTSPICE akan saya bagi menjadi tiga bagian (dan di-zoom) : yaitu A, B, dan C.
Zoom A:
Pada zoom untuk daerah A, yaitu pada reverse current, bisa dilihat reverse characteristic. Nilai tegangan breakover-nya sekitar -600 V sesuai dengan datasheet. Arus yang besar pada simulasi berada pada avalanche breakdown region.
Zoom B:
Pada zoom untuk daerah B, yaitu pada forward voltage. Perlu diperhatikan bahwa arus pada R2 terjadi akibat tegangan paksa dari sumber yang terus dinaikkan hingga 900 VDC.
Zoom C:
Zoom untuk daerah C. Yang perlu diperhatikan bahwa menurut datasheet sesungguhnya nilai IT(AV), MAX adalah 6.4 A.
Tulisan terkait:
[1] Simulasi Vth dioda dengan LTSPICE
[2] Ringkasan parameter SCR S6010R
[3] Memahami SCR holding current
[Credit update:Ini adalah gambar kurva karakteristik elektrik dari SCR yang saya ambil dari dokumen yang dikeluarkan oleh Teccor (sekarang Littelfuse) pada 2002.]
Untuk lebih mempermudah proses mempelajari karakteristik SCR dan cara penggunaannya dalam sistem maka kali ini saya mempergunakan SCR S6010R dari Teccor/Littelfuse. Prinsip ini berlaku pula untuk SCR jenis lain dan dari produsen yang lain.
Sangat beruntung bahwa untuk mencoba kondisi breakover dari SCR kita tidak harus mencobanya pada komponen sesungguhnya, cukup menggunakan simulator LTSPICE.
Kalau diperhatikan percobaan ini hampir sama dengan yang dilakukan untuk melihat Vthreshold dioda [silahkan melihat tulisan sebelumnya].
Tegangan sumber di-step dari -900VDC sampai 900VDC. Hasilnya sebagai berikut:
Kalau diperhatikan hasil simulasi di gambar ini serupa dengan karakteristik statik dari thyristor. Untuk lebih jelasnya, gambar hasil simulasi LTSPICE akan saya bagi menjadi tiga bagian (dan di-zoom) : yaitu A, B, dan C.
Zoom A:
Pada zoom untuk daerah A, yaitu pada reverse current, bisa dilihat reverse characteristic. Nilai tegangan breakover-nya sekitar -600 V sesuai dengan datasheet. Arus yang besar pada simulasi berada pada avalanche breakdown region.
Zoom B:
Pada zoom untuk daerah B, yaitu pada forward voltage. Perlu diperhatikan bahwa arus pada R2 terjadi akibat tegangan paksa dari sumber yang terus dinaikkan hingga 900 VDC.
Zoom C:
Zoom untuk daerah C. Yang perlu diperhatikan bahwa menurut datasheet sesungguhnya nilai IT(AV), MAX adalah 6.4 A.
Tulisan terkait:
[1] Simulasi Vth dioda dengan LTSPICE
[2] Ringkasan parameter SCR S6010R
[3] Memahami SCR holding current
Tidak ada komentar:
Posting Komentar